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厂商型号

MRF7S21170HR3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880 T/R

内部编号

146-MRF7S21170HR3

订购说明

质量保障

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MRF7S21170HR3产品详细规格

规格书 MRF7S21170HR3 datasheet 规格书
MRF7S21170HR3 datasheet 规格书
标准包装 250
晶体管类型 LDMOS
频率 2.11GHz
增益 16dB
电压 - Test 28V
当前 Rating 10µA
噪声系数 -
当前 - Test 1.4A
Power - 输出功率 50W
电压 - 额定 65V
包/盒 NI-880
供应商器件封装 NI-880
包装材料 Tape & Reel (TR)
动态目录 RF HEMT, HFET, LDMOS FETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17286?mpart=MRF7S21170HR3&vendor=375&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
包装 3NI-880
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 65 V
最大门源电压 -6|10 V
工作温度 -65 to 225 °C
安装 Screw
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 NI-880
标准包装名称 NI-880
最大频率 2170
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 225
输出功率 50
包装高度 5.08(Max)
Typical Drain Efficiency 31
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
典型功率增益 16
每个芯片的元件数 1
包装宽度 13.8(Max)
PCB 3
包装长度 34.16(Max)
最低工作温度 -65
最大漏源电压 65
引脚数 3
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 65V
供应商设备封装 NI-880
电压 - 测试 28V
频率 2.11GHz
增益 16dB
封装/外壳 NI-880
电流 - 测试 1.4A
额定电流 10µA
功率 - 输出 50W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 MRF7S21170HR3CT

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